“竟然真是光致产酸剂BR-侧键的问题！”
“吴院士牛逼啊！”
“……”
虽然后烘的具体数据还没出来，但光是这个产气量的数据，就已经称得上是史无前例的重大突破了！
涂满12寸的硅片光刻胶，在曝光的过程中，才产出了仅仅289立方纳米的气体，
而这么小的产气量，光刻胶的曝光边缘肯定非常光滑平整。
这就意味着更高的清晰度，以及更低的制程。
可以说，他们已经彻底解决了光刻胶最棘手的产气量问题！
吴利鸿听到这个数据后，脸上也不禁浮现起了一抹如释重负的笑容，但这却让他的脸上的皱纹褶子更多了……
过了大约十分钟，曝光后的硅片也已经完成了后烘，并对曝光部分的光刻胶进行了溶解清除，然后又进行了一次坚膜烘焙，加固光刻胶形成的电路保护膜。
接下来，就是他们这个实验环节最重要的电路图像清晰度分析了。
而最终的分析结果也果然不出他们所料，在降低了98%的产气量后，他们得到的电路保护膜，表面非常光滑平整，没有出现任何坍塌变形！
“膜厚正常，套刻精度正常！”
听到这个结果，所有人顿时都激动的看着吴利鸿。
事实上实验进行到了这一步，已经基本可以肯定他们的EUV光刻胶，已经达到了13.5纳米的制程标准。
因为他们苏省微电子的所有精力，都用来研发光刻胶了，对多重曝光等压缩制程的工艺，没有太多的研究，所以13.5纳米只是他们研究所的最小制程工艺。